کارخانه اکسیژن PSA برای تولید نیمه هادی

خلوص اکسیژن:تولید نیمه هادی معمولاً به اکسیژن با خلوص فوق العاده بالا نیاز دارد که معمولاً برای اطمینان از کیفیت و عملکرد محصولات نیمه هادی به 99.999٪ یا حتی بالاتر نیاز دارد.
سرعت جریان اکسیژن:با توجه به مقیاس تولید و الزامات فرآیند تولید نیمه هادی، تجهیزات اکسیژن PSA باید یک نرخ جریان اکسیژن پایدار را برای پاسخگویی به نیاز اکسیژن مداوم در فرآیند تولید فراهم کند.
دمای نقطه شبنم:رطوبت موجود در اکسیژن بسیار کم است و معمولاً دمای نقطه شبنم در زیر درجه {0}} لازم است تا از رطوبت اثر منفی بر فرآیند تولید نیمه هادی جلوگیری کند.
محتوای ناخالصی ذرات:محتوای ناخالصی‌های ذرات در اکسیژن باید کاملاً کنترل شود، معمولاً باید کمتر از 0.1 میکرون باشد تا از ناخالصی‌های ذرات باعث ایجاد نقص در سطح تراشه‌های نیمه‌رسانا نشود.

اکسیداسیون یک مرحله اساسی و حیاتی در بسیاری از پیوندهای فرآیند تولید نیمه هادی است. به عنوان مثال، در فرآیند اکسیداسیون ویفرهای سیلیکونی، اکسیژن با خلوص بالا برای تشکیل یک لایه دی اکسید سیلیکون (SiO2) مورد نیاز است. این لایه دی اکسید سیلیکون می تواند به عنوان یک لایه عایق یا به عنوان ماسک برای فرآیندهای بعدی استفاده شود. اکسیژن با خلوص بالا ارائه شده توسط تجهیزات اکسیژن PSA (معمولاً با خلوص تا 99.999٪ یا حتی بالاتر) می تواند دقت و پایداری واکنش اکسیداسیون را تضمین کند، به طوری که لایه دی اکسید سیلیکون تولید شده دارای کیفیت یکنواخت و ضخامت دقیق است که برای ساخت دستگاه های نیمه هادی با کارایی بالا (مانند ترانزیستورها در مدارهای مجتمع) بسیار مهم است.